极致纯度！我司成功研制超临界超高纯二氧化碳纯化器，杂质含量低于10ppt

近日，我司在高纯度气体纯化技术领域取得重大突破，成功研发出超临界超高纯二氧化碳纯化器，可将多种杂质纯化至低于10ppt的极致水平，这一技术指标达到国际水平。

技术突破，实现多种杂质低于10ppt的极致纯度

近日，我司在高纯度气体技术领域传来令人振奋的消息：一款超临界超高纯二氧化碳纯化器成功研发并投入使用，该设备能够将二氧化碳中多种杂质纯化至低于10ppt的极致水平。

这一技术突破标志着我司在高纯度气体纯化领域迈入了国际行列，为半导体芯片、高端制造业、科研实验等众多领域提供了坚实的技术支撑。

据研发团队透露，该纯化器采用多项创新技术，这一纯化精度相当于在万亿个气体分子中，杂质分子数量不超过10个，几乎达到了纯化技术的理论极限。

技术创新，攻克超高纯度纯化多重难题

实现超临界状态下二氧化碳的极致纯化，需要解决一系列技术难题。研发团队突破了传统纯化技术的局限，采用了多级纯化、超临界流体精密纯化等创新技术。

纯化系统的核心在能够保持二氧化碳的超临界流体状态并且捕捉到超临界流体中万亿级别的杂质，采用一用一备的双系统配置，确保纯化过程的连续稳定运行。

在再生阶段，通过精密的流体控制和多频段加热控制系统技术，实现了高效脱除杂质，确保纯化品质的稳定性。

此外，团队还开发了超高性能的吸附剂，这些材料具有极高的吸附选择性和容量，能够针对性地去除超临界二氧化碳中的微量杂质。

对于小流量气体的纯化，团队专门设计了特殊的纯化装置，通过优化金属管道内颗粒状和粉末状吸附剂材料的填充比例和温度梯度控制，实现了极低杂质水平的纯化效果。

应用广泛，满足高端产业发展需求

这款超临界超高纯二氧化碳纯化器的问世，将满足多个高端产业对气体纯度的极致要求。

在半导体芯片制造领域，高纯度气体是确保芯片良率和性能的关键。任何微量杂质都可能导致芯片缺陷，随着芯片制程工艺不断缩小，对工艺气体的纯度要求也越来越高。

超临界二氧化碳清洗技术已成为半导体制造中的关键工艺，而清洗剂的纯度直接决定了清洗效果和产品成品率。

在化合物半导体、光伏、光纤等新兴产业，高纯度二氧化碳同样是不可或缺的工艺气体。

此外，医疗和科研领域也对高纯度气体有着旺盛需求。如亚果生医利用超临界二氧化碳流体技术开发生物医疗材料，其技术核心就在于高效、无污染的纯化过程。

在能源系统中，如超临界二氧化碳布雷顿循环发电系统，工质的纯度直接关系到系统的安全性和效率。

前景广阔，推动产业升级与技术革新

这款超临界超高纯二氧化碳纯化器的成功开发，不仅打破了国外技术垄断，更为我国制造业升级提供了关键技术支撑。

随着 “碳达峰碳中和”战略的推进，二氧化碳的捕集和资源化利用日益受到重视。

高纯度二氧化碳纯化技术将为二氧化碳的高附加值利用开辟新的途径，推动低碳绿色技术的发展。

研发团队表示，下一步将继续优化纯化器的能效和稳定性，进一步降低运行成本，同时开发适用于不同场景的系列产品，满足各类用户的需求。

未来，这一技术平台还可望扩展到其他高纯度气体的制备，为我国高新技术产业发展提供更为全面的基础材料支撑。

随着半导体工业、新材料和新能源等领域的快速发展，对超高纯度气体的需求将持续增长。这项技术的突破性进展，不仅提升了我国在高纯度气体供应方面的自主能力，更为整个高科技产业链的安全稳定提供了保障。

未来，研发团队将进一步优化系统性能，拓展应用领域，为我国高端制造业的发展注入新的动力。